2018年，在存儲器市場的引領下，全球半導體市場繼續(xù)保持快速增長勢頭，市場規(guī)模預計達到4779.4億美元，同比增長15.9%。國內市場依舊保持高速增長，但增速有所放緩，達到21.5%。展望2019年，隨著存儲器市場的供需關系逐漸趨于合理，繼而帶動全球產(chǎn)業(yè)增速逐步回落。我國集成電路產(chǎn)業(yè)依然面臨全球市場調整、產(chǎn)業(yè)布局不合理、國際環(huán)境復雜等嚴峻挑戰(zhàn)。

形勢判斷

（一）全球半導體市場增長大幅放緩，多因素交織使得我國產(chǎn)業(yè)增速放緩。2018年全球半導體市場基本保持增長勢頭，從產(chǎn)品類別看，存儲器受漲價影響仍為增長最快的產(chǎn)品，同比增長33.2%；分立器件和光電器件緊隨其后，同比增長11.7%和11.2%。國內集成電路設計、制造、封測三業(yè)增速，同比上年均略有下降。其中設計業(yè)銷售額為2502.7億元，同比增長20.7%；制造業(yè)銷售額為1836.2億元，同比增長26.8%；封測業(yè)銷售額為2235.5億元，同比增長18.3%。

預計2019年全球半導體市場增速將大幅下降至2.6%，市場規(guī)模為4901.4億美元。從產(chǎn)品結構看，2019年細分產(chǎn)品增長率都下降到個位數(shù)，特別是存儲器將從2017年61.5%的大幅增長轉變?yōu)?019年的負增長。國內半導體產(chǎn)業(yè)增長率也將同比下降，預計2019年產(chǎn)業(yè)規(guī)模為7764.4億元，同比增長18.1%，相比前兩年20%以上高速增長逐漸放緩。

（二）傳統(tǒng)市場對產(chǎn)業(yè)的帶動乏力，5G、人工智能等新興應用尚未能對產(chǎn)業(yè)形成有效支撐。從全球市場情況看，2018年全球集成電路市場雖保持增長勢頭，但相比2017年增長有所放緩。此外，高投入的存儲領域增速大幅放緩，2018年全球超過一半的集成電路資本支出用于DRAM和NAND閃存等，過多的支出可能導致未來供給過剩風險。

預計2019年全球半導體市場增長速度將大幅下降，而在復雜的國際貿(mào)易環(huán)境和增速放緩的全球市場影響下，2019年國內市場增長率也將同比下降。

（三）全球產(chǎn)品技術繼續(xù)加快變革創(chuàng)新，我國先進工藝和存儲器技術有望實現(xiàn)突破。2018年，集成電路技術仍沿著摩爾定律不斷迭代演進。設計方面，手機芯片、人工智能芯片、礦機芯片等成為引領技術變革的重要產(chǎn)品。制造方面，摩爾定律仍如期推進，臺積電和三星在先進工藝制程繼續(xù)競賽領跑，相繼實現(xiàn)7nm工藝量產(chǎn)，進一步鞏固代工優(yōu)勢。封測方面，扇出型封裝等高端封裝技術競爭激烈。

展望2019年，在5G、人工智能等需求驅動下技術將繼續(xù)加快變革創(chuàng)新。臺積電和三星等代工廠將取代Intel承擔起推動摩爾定律前進重任，預計2019年將實現(xiàn)5nm工藝試產(chǎn)，2020年量產(chǎn)。制造業(yè)格局的變化和摩爾定律物理極限的逼近，也讓更多企業(yè)和產(chǎn)品結構站在同一起跑線上。我國領先設計企業(yè)也將共享集成電路代工技術進步紅利，逐步縮小與國外先進水平的差距。

（四）全球投融資市場逐漸降溫，我國集成電路產(chǎn)業(yè)投資熱度不減。2018年，全球集成電路產(chǎn)業(yè)跨國并購難度提升，持續(xù)近三年的全球集成電路產(chǎn)業(yè)并購熱潮出現(xiàn)降溫。企業(yè)資本支出再創(chuàng)新高，2018年半導體資本支出首次突破1000億美元，至1071億美元，同比增長15%。我國集成電路投融資市場在2018年總體表現(xiàn)平穩(wěn)，年內出現(xiàn)數(shù)起金額較大的并購案，助推了我國集成電路產(chǎn)業(yè)優(yōu)質資源整合。

展望2019年，資本市場對集成電路產(chǎn)業(yè)的關注度將進一步降低，投資方關注重點將繼續(xù)集中在細分領域優(yōu)質企業(yè)。在企業(yè)資本支出方面，集成電路市場的調整將降低企業(yè)資本支出熱情，2019年企業(yè)資本支出將較2018年降低超10%。雖然外圍環(huán)境對我國2019年集成電路產(chǎn)業(yè)投融資氛圍有些許影響，但是在國家政策的支持下，我國2019年集成電路產(chǎn)業(yè)投融資仍有望保持景氣。

對策建議

（一）進一步加強國內生產(chǎn)線主體集中布局。一是繼續(xù)加強堅持主體集中、區(qū)域適當布局原則，進一步強化對生產(chǎn)線建設項目的窗口指導，對新建項目從嚴把關、科學決策。加強對地方政府引導，嚴格控制多主體和低水平重復建設，避免通過資金、稅收和土地等“超國民”優(yōu)惠待遇引進外資項目。二是研究建立我國集成電路產(chǎn)業(yè)體系建設與產(chǎn)業(yè)優(yōu)化布局的指標體系，針對集成電路產(chǎn)業(yè)特點，圍繞技術、人才、資金、市場、產(chǎn)業(yè)環(huán)境等要素指標，提供各區(qū)域在產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的定位建議，引導合理布局。

（二）鼓勵設計企業(yè)發(fā)揮創(chuàng)新活力對接下游應用市場。一是發(fā)揮眾多小微設計企業(yè)的積極性，緊抓整機企業(yè)需求。充分調動企業(yè)活力，推動設計企業(yè)對接整機企業(yè)需求，開展定制化的設計，憑借優(yōu)質的服務配套贏得市場。二是加強企業(yè)技術積累，提升設計技術和產(chǎn)品創(chuàng)新能力。鼓勵有實力的設計企業(yè)進一步加大研發(fā)投入，在底層設計能力和上層產(chǎn)品創(chuàng)新兩個角度發(fā)力。三是鼓勵國內設計企業(yè)采購本土代工業(yè)務。圍繞制造企業(yè)上下游形成產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，提升國內設計企業(yè)在境內代工的比例，幫助制造企業(yè)提升需求，加強供需平衡穩(wěn)定，進一步提升制造企業(yè)的盈利能力。

（三）加快自主研發(fā)和開放合作，盡快突破核心技術。一是進一步加大核心技術攻克決心和力度。通過加快建設國家制造業(yè)創(chuàng)新中心，加強集成電路領域的校企之間的創(chuàng)新資源整合、創(chuàng)新成果共享、上下游企業(yè)技術合作，在人工智能、高端芯片、量子計算等關鍵技術和核心產(chǎn)品實現(xiàn)重點突破，形成自主創(chuàng)新的集成電路產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)體系，以應對國外對我技術出口管制。二是建立上下游協(xié)同的自主供應鏈體系。提高集成電路核心產(chǎn)品的自主可控水平和供給能力，形成完整的國內上下游產(chǎn)品服務供應體系，提升全球貿(mào)易環(huán)境惡化背景下國內供應能力。三是進一步加強對外開放。在加強自主發(fā)展的同時，保持開放合作共贏的態(tài)度，積極與國際企業(yè)開展技術合作和交流。

（四）繼續(xù)優(yōu)化產(chǎn)業(yè)發(fā)展的營商環(huán)境。一是對集成電路企業(yè)IPO和再融資開辟綠色通道。建立集成電路行業(yè)主管部門與證監(jiān)會之間的溝通協(xié)調機制。對國內骨干企業(yè)適當降低盈利標準要求，開辟上市綠色通道。二是考慮到集成電路制造企業(yè)盈利周期長的特點，將財稅〔2012〕27號、財稅〔2043〕49號文件中“五免五減半”優(yōu)惠政策規(guī)定，調整為“五減半五免”，對符合條件的集成電路設計業(yè)和裝備業(yè)的研發(fā)費用可全部或部分資本化處理。三是加強知識產(chǎn)權的保護、運用和布局，創(chuàng)造良好的創(chuàng)新環(huán)境。四是加大人才引育力度，創(chuàng)新人才輸送渠道。統(tǒng)籌示范性微電子學院、職業(yè)教育機構、研究院所資源，對接集成電路企業(yè)需求，開展針對性培訓，建設集教育、培訓、研究為一體的區(qū)域共享型集成電路產(chǎn)學研融合協(xié)同育人平臺。同時，建議通過個稅減免提高人才實際所得，以提升行業(yè)吸引力。